納米晶和鈷基非晶、鐵氧體相比，它具有飽和磁感高，可以減小磁性器件體積。磁導(dǎo)率高，損耗小，矯頑力小，可以降低磁性器件損耗，因此，納米晶合金是高頻電力電子應(yīng)用中的z佳軟磁材料。

納米晶合金的特性

當(dāng)前無(wú)線充電Qi標(biāo)準(zhǔn)的頻率在100-200k之間，在此頻率下，納米晶的磁導(dǎo)率和鈷基非晶的磁導(dǎo)率非常的接近，明顯高于鐵基非晶和鐵氧體，而損耗卻恰恰相反，明顯低于鐵基非晶和鐵氧體。納米晶在溫度應(yīng)用方面也有優(yōu)勢(shì)，納米晶不僅在應(yīng)用溫度比鈷基非晶和鐵氧體都要寬外，在-40℃-120℃范圍內(nèi)，納米晶的穩(wěn)定性也明顯優(yōu)于鐵氧體。在磁性材料設(shè)計(jì)方面納米晶也具備明顯的優(yōu)勢(shì)，納米晶可以定向控制磁導(dǎo)率和抗飽和磁場(chǎng)。納米晶的磁導(dǎo)率可在1000-30000內(nèi)隨意可調(diào)。磁性材料的設(shè)計(jì)，要求在特定的工作電流下，不要達(dá)到磁飽和，一旦達(dá)到磁飽和，就會(huì)停止工作，納米晶可調(diào)抗飽和磁場(chǎng)可達(dá)30~350A/m，使得無(wú)線充電的應(yīng)用范圍更寬。

幾種鐵基納米晶與鐵基非晶、鈷基非晶、鐵氧體之間的比較：飽和磁通密度：鐵基納米晶除了比鐵基非晶略低一點(diǎn)外，明顯優(yōu)于鈷基非晶和鐵氧體；在矯頑力、初始磁導(dǎo)率、飽和磁致伸縮系數(shù)、居里溫度、性能變化率等方面納米晶全面優(yōu)于其他材料，因此，納米晶是z佳的軟磁材料。

納米晶的發(fā)展趨勢(shì)

隨著電子產(chǎn)品正在向高頻、節(jié)能、小型、集成化方向發(fā)展，應(yīng)用頻率也在不斷提高，帶材一代代更新。從最初的傳統(tǒng)制帶工藝（國(guó)內(nèi)現(xiàn)有生產(chǎn)水平）厚度22-30μm，到現(xiàn)在帶材發(fā)展到三代、四代，用先進(jìn)制帶工藝（國(guó)際先進(jìn)生產(chǎn)水平）可做到14-22μm。而且掌握了更薄的制帶技術(shù)。納米晶帶材的發(fā)展趨勢(shì)就是超薄帶。超薄納米晶帶特性：帶材越薄損耗越低。導(dǎo)磁片批量化生產(chǎn)工藝變革，從2015年導(dǎo)磁片批量化生產(chǎn)以來(lái)，工藝不斷變革，由片材逐漸過(guò)渡到卷材，大幅提高生產(chǎn)效率，滿足不斷增長(zhǎng)的需求。

無(wú)線充電在手機(jī)已經(jīng)有普及的趨勢(shì)，在穿戴領(lǐng)域也有很多產(chǎn)品，未來(lái)在家里、辦公室、公共場(chǎng)所、出行工具、交通都會(huì)有無(wú)線充電的普及，未來(lái)還會(huì)有電動(dòng)汽車的普及。

無(wú)線能量傳輸（WPT）：智能手機(jī)、智能穿戴（小功率）無(wú)線充電的結(jié)構(gòu)類似于變壓器，由發(fā)射端和接收端構(gòu)成，發(fā)射端和接收端都是由線圈和磁性材料構(gòu)成，磁性材料有不同的選擇，有鐵氧體、非晶、納米晶等。

軟磁屏蔽材料在無(wú)線充電中的作用

隔磁屏蔽：為磁通量提供一條低阻抗通路，降低向外散發(fā)的磁力線，減少對(duì)周圍金屬物體的影響，防止產(chǎn)生渦流和信號(hào)干擾。

導(dǎo)磁降阻：提高耦合系數(shù)，提升磁電轉(zhuǎn)換效率，使用更少的匝數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高電感的線圈，降低線圈電阻，減少發(fā)熱帶來(lái)的效率降低（匝數(shù)越多，電阻越高）。

應(yīng)用案例

納米晶在無(wú)線充電的應(yīng)用是從S7開(kāi)始，一種材料實(shí)現(xiàn)所有功能，取代了非晶和鐵氧體的組合。一般認(rèn)為，用于NFC的軟磁材料，鐵氧體是最j的，而認(rèn)為納米晶不適合，因?yàn)樵诟哳l，納米晶的損耗遠(yuǎn)大于鐵氧體，但是三星恰恰做了突破，S7的成功應(yīng)用證明了納米晶是可以用于NFC的，隨后的S8/N8/A7/J5/J7等眾多型號(hào)產(chǎn)品，將納米晶的應(yīng)用從WPC擴(kuò)展到NFC和MST。國(guó)內(nèi)納米晶生產(chǎn)代表企業(yè)安泰科技在發(fā)射端也做了一些嘗試，用納米晶導(dǎo)磁片做了幾款無(wú)線充電器產(chǎn)品，有多工位、多功能等特色產(chǎn)品，性能沒(méi)有任何問(wèn)題，現(xiàn)在唯y的問(wèn)題就是導(dǎo)磁片的成本比鐵氧體高。

導(dǎo)磁片發(fā)展趨勢(shì)：

接收端：吸波材料→鐵氧體→非晶+鐵氧體→納米晶

納米晶導(dǎo)磁片：

薄——超薄:0.14→0.12→0.11→0.10

高磁導(dǎo)、低損耗——高Q

應(yīng)用與普及：

小功率：手機(jī)、智能穿戴等

中功率：電腦、廚房家電等

大功率：電動(dòng)汽車、道路等基礎(chǔ)設(shè)施

未來(lái)，將是無(wú)線的世界，改變生活，改變世界。